晶體管MOSFET有三個(gè)極，分別是源極（S）、柵極（G）和漏極（D）。它們能有效控制源極和漏極觸點(diǎn)之間的電流流動(dòng)，通過(guò)柵極加電壓?？赏ㄟ^(guò)改變電壓使電通道出現或消失；相應地，也能使電氣元件接通或關(guān)閉。使用半導體可使不同類(lèi)的雜質(zhì)隔離。這意味著(zhù)攜帶不同信號的電荷可有效隔絕，形成障壁，阻止電荷的區域間流動(dòng)。
晶體管MOSFET
電流從柵極到源極的傳遞將導致電流從漏極流向源極。當沒(méi)有電流通過(guò)或通過(guò)電流較小時(shí)，漏極-源極電阻勢必會(huì )很大。但應當明確，微控制器工作電壓為5v或3.3v時(shí)，與微控制器配套的MOSFET可能需要10-15的柵極和源極電勢差，以使漏極和源極之間電阻達到最低水平。
晶體管MOSFET柵極和源極之間的電容可防止不同狀態(tài)間的迅速切換。內部電容上電壓的快速變化需要大電流。它必須在變化（源極）和放電（槽）之間進(jìn)行自動(dòng)切換。柵極所加電壓的改變會(huì )導致漏極和源極間電阻的同時(shí)改變。電壓的高低將與電阻的大小直接相關(guān)。功率MOSFET針對大功率級應用設計。
MOSFET晶體管的不同類(lèi)型
PMOS邏輯
如前所述，MOSFET的集成實(shí)現了相較于BJT的高電路效率。P通道MOSFET能夠與PMOS邏輯一同實(shí)現數字電路和邏輯門(mén)。
NMOS邏輯
除了N通道MOSFET應用于邏輯門(mén)和相關(guān)數字電路之外，NMOS邏輯和PMOS邏輯類(lèi)似。一般情況下，N通道MOSFET可能比P通道MOSFET更小型，從而在某些情況下更具吸引力。但NMOS邏輯有持續功耗，而PMOS邏輯沒(méi)有。
CMOS邏輯
互補金屬氧化物半導體（CMOS）邏輯是一種集成電路生產(chǎn)技術(shù)。此類(lèi)電路廣泛應用于各種電氣組件，并能發(fā)電。P通道和N通道MOSFET均與互聯(lián)的柵極和漏極聯(lián)用，從而降低功耗，減少余熱產(chǎn)生。
耗盡型MOSFET器件
耗盡型MOSFET器件在MOSFET器件中較不常見(jiàn)。耗盡型MOSFET器件通道電阻小，一般認為通道"開(kāi)啟"。當設定為無(wú)功耗狀態(tài)時(shí)，這些開(kāi)關(guān)將根據自身設計工作。通道電阻呈線(xiàn)性關(guān)系，在信號幅度范圍內失真低。
MISFETs
所有MOSFET均屬于MISFET（金屬絕緣層半導體場(chǎng)效應晶體管），但并非所有的MISFET均屬于MOSFET。這類(lèi)組件內的門(mén)邏輯絕緣層為MOSFET中所用的二氧化硅，但也可能使用其他材料。門(mén)邏輯位于柵極下方，MISFET通道上方。
浮柵MOSFET（FGMOS）
浮柵MOSFET有一個(gè)額外的電絕緣浮柵。它能在直流電中生成一個(gè)浮動(dòng)節點(diǎn)，同時(shí)在浮柵上方生成一系列輔助柵輸入。在其眾多用途中，FGMOS通常用作浮柵存儲單元。
功率MOSFET
功率MOSFET為垂直結構，而非平面結構。這一結構使功率MOSFET能同時(shí)保持高阻塞電壓和高電流。該晶體管的額定電壓與N溝道外延層的摻雜和厚度直接相關(guān)，額定電流由通道寬度決定。組件區域和這類(lèi)器件維持的電流大小間也有直接的聯(lián)系。功率MOSFET具有低柵驅動(dòng)功能、迅速的切換速度和先進(jìn)的并聯(lián)功能。
DMOS
功率MOSFET是雙擴散金屬氧化物半導體，有橫向和縱向兩種。大多數功率MOSFET利用該技術(shù)構造。
MOS電容器
這類(lèi)電容器結構同MOSFET，且MOS電容器兩側有雙P-N端。MOS電容器通常用作內存芯片存儲電容器并為圖像傳感器技術(shù)中的電荷耦合元件（CCD）提供支持。
TFT
薄膜晶體管（TFT）是一種特殊的MOSFET。其中的不同之處在于薄膜晶體管（TFT）涉及半導體薄膜，以及邏輯層和金屬觸點(diǎn)在支撐基板上的沉積。使用的半導體材料各式各樣，其中硅最常用。它可以做到高透明度，用于生產(chǎn)視頻顯示面板。
雙極MOS晶體管
BiCMOS是一種集BJT和CMOS晶體管于一個(gè)單芯片上的集成電路。絕緣柵雙極晶體管（IGBT）功能類(lèi)似于MOSFET和雙極結型晶體管（BJT）。
MOS傳感器
當前已成功研發(fā)出一系列MOS傳感器，可精確測量物理、化學(xué)、生物和環(huán)境變量。開(kāi)柵FET（OGFET）、離子敏場(chǎng)效應晶體管（ISFET）、氣體傳感器FET、電荷流動(dòng)晶體管（CFT）及酶場(chǎng)效應晶體管等都屬于MOS傳感器。電荷耦合元件（CCD）和有源像素傳感器（CMOS傳感器）等常用于數字成像。
多柵極場(chǎng)效應晶體管
雙柵MOSFET有四極管配置，電流大小由兩個(gè)柵極控制。雙柵MOSFET常用于射頻應用中的小信號器件，降低與密勒效應相關(guān)的增益耗損。這一點(diǎn)當共源共柵配置中的單獨晶體管更換時(shí)可實(shí)現。
RHBD
這種環(huán)形柵晶體管常用于制作抗輻射加固設計（RHBD）器件。MOSFET的柵極通常圍繞著(zhù)漏極。漏極靠近ELT的中心。如此，MOSFET的源極圍繞柵極。H柵極是另一種類(lèi)型的MOSFET，確保了最低的輻射泄露。
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